【Продукцію】
клітина	Моно 156.75мм HJT біфаціал
Ні. клітин	60(6×10)
Номінальна максимальна потужність (Pmax)	320Вт
З'єднання коробки	IP68 (об'їв)
Максимальна напруга в системі	1000V/1500V постійного струму (IEC)
Робоча температура	-40°C~+85°C
Розміри	1658мм×992мм×5мм
вага	20кг±3%

【 Опис продукту】

Фотоелектричні системи, що використовують гетероджункційні модулі (HJT), перевершують будь-які інші PV-системи, які допоможуть PV-потужності вижити без «зелених» тарифів і бути конкурентоспроможними з витратами на електроенергію в мережі.

Вирівняна собівартість електроенергії (LCOE) є одним з основних показників вартості електроенергії, виробленої як комунальними, так і розподіленими енергосистемами. Найшвидший шлях до зниження LCOE - впровадження високоефективних концепцій сонячних елементів, таких як технологія гетероджунккції (HJT).

Сонячна панель Bifacial BIPV HJT досягає високої потужності 320 Вт.

Компактний і легкий модуль з подвійним склом з 2,0-мм загартованим склом був успішно розроблений в 2014 році. Тепер може бути виготовлений тонший, легший модуль з подвійним склом з 1,6-мм загартованим склом, інкапсульованим з високоефективним сонячним елементом HJT. Завдяки характеристикам матеріалу та структури модуль з подвійним склом принципово уникає дефектів, таких як PID, мікротріски клітин та слід равликів , що може знизити інвестиційну вартість, вартість транспортування та ризик експлуатації електростанцій тощо.

60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel R

1 КЛЮЧОВІ ОСОБЛИВОСТІ

2 МЕХАНІЧНІ ДІАГРАМИ

Dimension of 60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel 300250

3 ЕЛЕКТРИЧНІ ПАРАМЕТРИ НА НТЦ

Номінальна максимальна потужність (Pmax) [Вт]	305	310	315	320
Напруга відкритого ланцюга (Voc) [V]	39.85	40.15	40.46	40.86
Максимальна напруга живлення (Vmp) [V]	33.23	33.59	33.92	34.25
Струм короткого замикання (Isc) [A]	9.73	9.77	9.84	9.89
Максимальний струм живлення (Imp) [A]	9.18	9.23	9.29	9.35
Ефективність модуля [%]	18.5	18.8	19.2	19.5
Допуск потужності	0~+5 Вт
Температурний коефіцієнт isc(α_Isc)	0,048%/°C
Коефіцієнт температури Voc(β_Voc)	-0,271%/°C
Температурний коефіцієнт Pmax(γ_Pmp)	-0,336%/°C
НТЦ	Опромінення 1000 Вт/м², температура клітин 25°C, AM1.5G

Сонячна фотоелектрична система, також відома як фотоелектрична, відноситься до фотоелектричної дії фотоелектричних напівпровідникових матеріалів і сонячної енергії в об'єкти постійного струму. В основі фотоелектричного об'єкта знаходяться сонячні панелі. В даний час основними напівпровідниковими матеріалами, що використовуються для виробництва електроенергії, є монокристаліновий кремній, пополістальний кремній, аморфний кремній і телурид кадмію і т.д. В останні роки країни активно сприяють застосуванню відновлюваної енергетики, розвиток фотоелектричної промисловості дуже стрімкий.

certification -1.jpg