Introduction Введення продукту】
Клітинка	Моно 156,75 мм HJT двобічний
Кількість комірок	60（6×10）
Номінальна максимальна потужність (Pmax)	320W
Розподільна коробка	IP68
Максимальна напруга системи	1000 В / 1500 В постійного струму (IEC)
Робоча температура	-40℃～+85℃
Розміри	1658мм × 992мм × 5мм
Вага	20 кг ± 3%

【Опис продукту】

Новий двофазний модуль HJT повинен використовувати сонячні елементи з ефективністю перетворення близько 23%, що відрізняється чудовими характеристиками при слабкому освітленні, провідним коефіцієнтом температури потужності -0,33% / ℃ та наднизькою деградацією на кремнієвих пластинах N-типу. Модуль також отримує вигоду від приросту ефективності від 8% до 20% за рахунок двобічності, залежно від поверхні альбедо, що відбиває світло на задній боці комірки.

Двофазна сонячна панель BIPV HJT забезпечує високу потужність 320 Вт.

Завдяки характеристикам матеріалу та структури, подвійний скляний модуль принципово уникає таких дефектів, як ПІД, мікротріщини комірок та сліди равликів, що може зменшити інвестиційні витрати, транспортні витрати та ризик експлуатації електростанцій тощо.

60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel R

1 ОСНОВНІ ОСОБЛИВОСТІ

2 МЕХАНІЧНІ СХЕМИ

Dimension of 60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel 300250

3 ЕЛЕКТРИЧНІ ПАРАМЕТРИ на STC

Номінальна максимальна потужність (Pmax) [Вт]	305	310	315	320
Напруга розімкнутого ланцюга (Voc) [V]	39.85	40.15	40.46	40.86
Максимальна напруга живлення (Vmp) [V]	33.23	33.59	33.92	34.25
Струм короткого замикання (Isc) [A]	9.73	9.77	9.84	9.89
Максимальний струм потужності (Імп) [A]	9.18	9.23	9.29	9.35
Ефективність модуля [%]	18.5	18.8	19.2	19.5
Толерантність до потужності	0~+5W
Температурний коефіцієнт Isc (α_Isc)	0.048%/℃
Температурний коефіцієнт Voc (β_Voc)	-0.271%/℃
Температурний коефіцієнт Pmax (γ_Pmp)	-0.336%/℃
STC	Освітленість 1000 Вт / м², температура клітини 25 ℃, AM1,5G

Сонячна фотоелектрична система, також відома як фотоелектрична, відноситься до фотоелектричного ефекту фотоелектричних напівпровідникових матеріалів та сонячної енергії на об'єкти постійного струму. В основі фотоелектричної установки - сонячні панелі. В даний час основними напівпровідниковими матеріалами, що використовуються для виробництва енергії, є монокристалічний кремній, полікристалічний кремній, аморфний кремній та телурид кадмію тощо.

certification -1.jpg