N тип кремнієвих сонячних елементів

Технологія гетеропереходу кремнію (HJT) базується на полі емітера та зворотної поверхні (BSF), які утворюються шляхом низькотемпературного росту над-тонких шарів аморфного кремнію (a-Si:H) з обох

210-міліметрова сонячна батарея M12 з кремнієвою гетероперехідною технологією (HJT) має ефективність 24,4 відсотка та номінальну потужність 10,76 Вт на комірку.

Технологія кремнієвих гетеропереходів (HJT) базується на емітері та полі зворотної поверхні (BSF), які створюються шляхом низькотемпературного росту надтонких шарів аморфного кремнію (a-Si:H) з обох

Технологія TOPCON (тунельно-оксидний пасивований контакт) підвищує ефективність сонячної батареї типу N до 25 відсотків. Промислова 210-міліметрова сонячна батарея TOPCon має максимальну ефективність

Технологія TOPCON (тунельний оксид пасивований контакт) підвищує ефективність сонячних елементів типу N до 24,5%.Монокристалічний N типу 182 мм TOPCon сонячний елемент з номінальною потужністю 8,08

Оновлена ​​за технологією PERT, технологія TOPCON (пасивований контакт з оксидом тунелю) у поєднанні з пасиваційним шаром AlOx/ SiNx підвищує ефективність сонячних елементів типу N 166 мм до 24,4%.

N-типу Mono bifacial PERT (пасивний випромінювач заднім повністю розсіяним) кремнієві сонячні елементи володіють високою і стабілізованою ефективність перетворення.Сонячний елемент типу N bifacial

N-типу Mono bifacial PERT (пасивний випромінювач заднім повністю розсіяним) кремнієві сонячні елементи володіють високою і стабілізованою ефективність перетворення.Кремнієві сонячні елементи N-типу

У структурі комірок з міжцифровим зворотним контактом (IBC) випромінювач і контакт знаходяться на задній стороні пластини, що дозволяє незалежну оптимізацію передньої поверхні щодо оптичних

Кремнієві сонячні батареї N-типу Mono Bifacial PERT (пасивований випромінювач ззаду повністю розсіяний) мають високу та стабілізовану ефективність перетворення. Кремнієві сонячні елементи типу N