N-тип M2 Монокристалічна специфікація вафельної кремнію

N-тип M2 Монокристалічна специфікація вафельної кремнію

Монокристалічна кремнієва пластина N-типу M2 оснащена квазі-квадратною 156,75 × 156,75 мм конструкції із закругленими кутами, врівноваження сумісності зі стандартними макетами модуля та оптимізованим захопленням світла. Вироблений за допомогою методу CZ та допінгу фосфору, він пропонує високу чистоту матеріалу,<100>орієнтація та низька щільність дислокації (менше або дорівнює 500 см⁻²). При провідності N-типу, широкий діапазон опору (0,2–12 Ом · см) та високий термін експлуатації меншості (більше або дорівнює 1000 мкс), він підтримує високоефективні клітинні технології, такі як TopCon та HJT. Пластина M2 залишається перевіреним та надійним форматом для стабільної продуктивності в основних програмах PV.
Share to
Послати повідомлення
Чат зараз
Опис
Технічні параметри

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Монокристалічна кремнієва пластина N-типу M2 оснащена квазі-квадратною 156,75 × 156,75 мм конструкції із закругленими кутами, врівноваження сумісності зі стандартними макетами модуля та оптимізованим захопленням світла. Вироблений за допомогою методу CZ та допінгу фосфору, він пропонує високу чистоту матеріалу,<100>орієнтація та низька щільність дислокації (менше або дорівнює 500 см⁻²). При провідності N-типу, широкий діапазон опору (0,2–12 Ом · см) та високий термін експлуатації меншості (більше або дорівнює 1000 мкс), він підтримує високоефективні клітинні технології, такі як TopCon та HJT. Пластина M2 залишається перевіреним та надійним форматом для стабільної продуктивності в основних програмах PV.

 

1. Матеріальні властивості

 

Майно

Специфікація

Метод огляду

Метод зростання

CZ

 

Кристалічність

Монокристалічний

Пільгові методи травлення(ASTM F47-88)

Тип провідності

N-тип

Napson EC-80TPN

Допант

Фосфор

-

Концентрація кисню [OI]

Менше або дорівнює8e +17 в/см3

FTIR (ASTM F121-83)

Концентрація вуглецю [CS]

Менше або дорівнює5e +16 в/см3

FTIR (ASTM F123-91)

Щільність трави (щільність дислокації)

Менше або дорівнює500 см-2

Пільгові методи травлення(ASTM F47-88)

Поверхнева орієнтація

<100>± 3 градус

Рентгенівський метод дифракції (ASTM F26-1987)

Орієнтація псевдо квадратних сторін

<010>,<001>± 3 градус

Рентгенівський метод дифракції (ASTM F26-1987)

 

2. Електричні властивості

 

Майно

Специфікація

Метод огляду

Опір

0,2-2,0 ω.cm
0,5-3,5 Ом.см
1,0-7,0 ω.cm
1,5-12 ω.cm
4-проробний опір
вимірювання

MCLT (термін експлуатації меншин)

Більше або дорівнює 1000 мкс (опір > 1,0 Ом.см)
Більше або дорівнює 500 мкс (опір < 1,0 Ом.см
Sinton BCT-400
Тимчасовий
(з рівнем ін'єкції: 5е14 см-3)

 

3. Геометрія

 

Майно

Специфікація

Метод огляду

Геометрія

квазійська площа
Верньє суппортер
Діаметр
210 ± 0,25 мм
Верньє суппортер
Плоский до плоского
156,75 ± 0,25 мм
Верньє суппортер
Довжина кута
8,5 ± 0,5 мм
Квадратний/правитель широкого сидіння
Кутова

90 градусів ± 0,2 градусів

Кутовий правитель
Кутова форма
Круглої форми
Візуальний огляд
Перпендикулярний
Менше або дорівнює 0,8 мм
 

TTV (загальна варіація товщини)

Менше або дорівнює 27 µm

Система перевірки вафель

 

image 31

 

4.Поверхневі властивості

 

Майно

Специфікація

Метод огляду

Поверхнева якість
Пляма, олія, подряпина, тріщина, яма, удар,
Дефект шпильки та близнюки не є
дозволений
Візуальний огляд
Відколювати
Поверхнева мікросхема заборонена;
ARRIS: Чіпи непослідовні:
Менше 10 на ARRIS, DIA менше або дорівнює 0,3 мм;
Правитель
Поверхнева груба
Поверхня площини: РА менше або дорівнює 0,6UM;
Поверхня, що перебуває на каші: РА менше або дорівнює 1,0 г.
Лічильник шорсткості поверхні

 

 

 

 

Популярні Мітки: Специфікація пластини N-Type M2 M2, Китай, постачальники, виробники, фабрика, виготовлені в Китаї

Послати повідомлення
Послати повідомлення