-
![Пластина SiC типу 4H P-]()
Пластина SiC типу 4H P-Підкладки SiC типу P- призначені для гомоепітаксіального росту та розробки силових напівпровідникових пристроїв над--високої напруги. Завдяки чудовим електричним і тепловим характеристикам ця -
![4H напів-ізоляційна пластина SiC]()
4H напів-ізоляційна пластина SiCНапі-ізоляційні підкладки SiC мають високий питомий опір і чудові теплові властивості, що робить їх придатними для гетероепітаксійного росту GaN і високочастотних радіочастотних напівпровідників. Як -
![Підкладка SiC типу 4H N-]()
Підкладка SiC типу 4H N-Підкладки типу N{0}}SiC розроблені для гомоепітаксіального зростання у передовому виробництві потужних напівпровідників. Завдяки чудовим електричним і тепловим характеристикам ця високо-продуктивна
