Підкладка SiC типу 4H N-

Підкладки типу N{0}}SiC розроблені для гомоепітаксіального зростання у передовому виробництві потужних напівпровідників. Завдяки чудовим електричним і тепловим характеристикам, ця висока-продуктивністьSiC підкладкапідходить для-застосувань високої потужності в електричних транспортних засобах, фотоелектричних системах, енергетиці вітру та інших нових енергетичних технологіях.

Асортимент продукції включає 6-дюймові та 8-дюймовіSiC пластинидля масового виробництва та глобального постачання, з можливістю виробництва підкладок розміром 12-дюймів, доступних для застосування силових напівпровідників нового покоління.

 

6-дюймовий
Діаметр	150,0 мм +0 мм/-0,2 мм
Орієнтація поверхні	4 градуси в сторону<1120>±0,5 градуса
Первинна плоска довжина	47,5 мм ±1,5 мм
Первинна плоска орієнтація	<1120>±1,0 градус
Орієнтація надрізу	/
Кут надрізу	/
Глибина надрізу	/
Вторинна квартира	N/A
Товщина	350,0 мкм±25,0 мкм
Політип	4H
Тип	n-тип

 

 

 

8-дюймовий
Діаметр	200,0 мм +0 мм/-0,5 мм
Орієнтація поверхні	4 градуси в сторону<1120>±0,5 градуса
Первинна плоска довжина	Виїмка
Первинна плоска орієнтація	/
Орієнтація надрізу	<1100>±1,0 градус
Кут надрізу	90 градусів +5 градусів /-1 градус
Глибина надрізу	1,0 мм +0.25 мм/-0 мм
Вторинна квартира	N/A
Товщина	500,0 мкм±25,0 мкм
Політип	4H
Тип	n-тип

 

 

12-дюймовий
Діаметр	300,0 мм +0 мм/-0,5 мм
Орієнтація поверхні	4 градуси в сторону<1120>±0,5 градуса
Первинна плоска довжина	Виїмка
Первинна плоска орієнтація	/
Орієнтація надрізу	<1100>±5,0 градусів
Кут надрізу	90 градусів +5 градусів /-1 градус
Глибина надрізу	1,0 мм +0.25 мм/-0 мм
Вторинна квартира	N/A
Товщина	750,0 мкм±25,0 мкм
Політип	4H
Тип	n-тип