Введення продуктів
Напі-ізоляційні підкладки SiC мають високий питомий опір і чудові теплові властивості, що робить їх придатними для гетероепітаксійного росту GaN і високочастотних радіочастотних напівпровідників. Як висока-ефективністьSiC підкладка, він широко використовується для пристроїв на базі HEMT-у передових системах зв’язку, зокрема в інфраструктурі 5G.
Ці напі{0}}ізоляційніSiC пластинитакож забезпечують чудові оптичні та матеріальні властивості, підтримуючи нові додатки в оптоелектроніці та переносній електроніці. 12-дюймові підкладки SiC пропонують потенціал для додатків наступного-покоління, таких як окуляри AR та інші передові оптичні пристрої.
Технічні характеристики
| 6-дюймовий | |
|---|---|
| Діаметр | 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм |
| Орієнтація поверхні | {0001}±0,2 градуса |
| Первинна плоска орієнтація | / |
| Вторинна плоска орієнтація | / |
| Первинна плоска довжина | Виїмка |
| Вторинна плоска довжина | Жодного |
| Орієнтація надрізу | <1100>±1,0 градус |
| Глибина надрізу | Немає 1 мм+0.25 мм/-0 мм від краю |
| Кут надрізу | 90 градусів +5 градусів /-1 градус |
| Товщина | 500,0 мкм±25,0 мкм |
| Тип | Напів{0}}ізоляційний |
| 8-дюймовий | |
|---|---|
| Діаметр | 200,0 мм +0 мм/-0,5 мм |
| Орієнтація поверхні | {0001}±0,2 градуса |
| Первинна плоска орієнтація | / |
| Вторинна плоска орієнтація | / |
| Первинна плоска довжина | Виїмка |
| Вторинна плоска довжина | Жодного |
| Орієнтація надрізу | <1100>±1,0 градус |
| Глибина надрізу | Немає 1 мм+0.25 мм/-0 мм від краю |
| Кут надрізу | 90 градусів +5 градусів /-1 градус |
| Товщина | 500,0 мкм±25,0 мкм |
| Тип | Напів{0}}ізоляційний |
| 12-дюймовий | |
|---|---|
| Діаметр | 300,0 мм +0 мм/-0,5 мм |
| Орієнтація поверхні | {0001}±0,5 градуса |
| Первинна плоска орієнтація | / |
| Вторинна плоска орієнтація | / |
| Первинна плоска довжина | Виїмка |
| Вторинна плоска довжина | Жодного |
| Орієнтація надрізу | <1100>±5,0 градусів |
| Глибина надрізу | Немає 1 мм+0.25 мм/-0 мм від краю |
| Кут надрізу | 90 градусів +5 градусів /-1 градус |
| Товщина | 750,0 мкм±25,0 мкм |
| Тип | Напів{0}}ізоляційний |
Сертифікат
Популярні Мітки: 4H напів-ізоляційна пластина SiC, Китай, постачальники, виробники, фабрика, зроблено в Китаї
